Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate
XX
BSO - Titre
Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate
XX
DOI
DOI
10.1149/2.0111711jss
XX
DOAI
DOAI
10.1149/2.0111711jss
XX
Identifiant WoS
WOS:000418369500006
XX
Accès ouvert
OA - Oui
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Editeur
XX
Editeur
The Electrochemical Society
XX
Source
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY
XX
ISSN
2162-8769
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/HCLQV0ZH
12/10/2021 14:52:59 (latest)
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